Найден 671 товар
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1500 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1500 MBps
M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 6800/4000 MBps, случайный доступ: 1000000/180000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 6800/4000 MBps, случайный доступ: 1000000/180000 IOps
2 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND
2 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND
2.5", SATA 6Gbps, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 500/350 MBps
2.5", SATA 6Gbps, микросхемы NAND TLC, последовательный доступ: 500/350 MBps
512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258H, микросхемы 3D TLC NAND
512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258H, микросхемы 3D TLC NAND
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5013-E13, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1800/1100 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5013-E13, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1800/1100 MBps
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5100/4200 МБайт/с
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5100/4200 МБайт/с
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5019-E19T, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3600/2300 МБайт/с, случайный доступ: 300000/550000 IOps
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5019-E19T, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3600/2300 МБайт/с, случайный доступ: 300000/550000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2000/1500 МБайт/с, случайный доступ: 99500/96200 IOps, SLC-кэш
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2000/1500 МБайт/с, случайный доступ: 99500/96200 IOps, SLC-кэш
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2400/2000 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2400/2000 МБайт/с
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6800 МБайт/с, случайный доступ: 700000/550000 IOps, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6800 МБайт/с, случайный доступ: 700000/550000 IOps, совместимость с PS5
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 6400/2700 MBps, случайный доступ: 500000/600000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 6400/2700 MBps, случайный доступ: 500000/600000 IOps
3.84 ТБ, 2.5", U.2, последовательный доступ: 6900/4100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/180000 IOps
3.84 ТБ, 2.5", U.2, последовательный доступ: 6900/4100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/180000 IOps
256 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND
256 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND
7.68 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/4200 МБайт/с, случайный доступ: 1100000/220000 IOps
7.68 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/4200 МБайт/с, случайный доступ: 1100000/220000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6700 МБайт/с, SLC-кэш
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6700 МБайт/с, SLC-кэш
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3476/3137 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3476/3137 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Innogrit IG5220, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4950/4000 МБайт/с, случайный доступ: 510000/670000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Innogrit IG5220, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4950/4000 МБайт/с, случайный доступ: 510000/670000 IOps
4 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 7200/6850 MBps, случайный доступ: 940000/1000000 IOps
4 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 7200/6850 MBps, случайный доступ: 940000/1000000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2269XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5100/4600 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2269XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5100/4600 МБайт/с