Оперативная память

64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, напряжение 1.35 В

одноканальный (1 модуль), частота 667 МГц, CL 5T, напряжение 1.8 В

одноканальный (1 модуль), частота 1600 МГц

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36-89, напряжение 1.25 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 4600 МГц, CL 19T, тайминги 19-26-26-45, напряжение 1.5 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 4000 МГц, CL 19T, тайминги 19-23-23, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6800 МГц, CL 34T, тайминги 34-45-45, напряжение 1.4 В

частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В (при разгоне 1.5 В)

частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-89, напряжение 1.25 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6800 МГц, CL 34T, тайминги 34-45-45-108, напряжение 1.4 В

1 модуль, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В

16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38, напряжение 1.35 В